B2M030120N
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 47A; SOT227B; przykręcany
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Oznaczenie producenta:
B2M030120N
Symbol TME:
B2M030120N
Specyfikacja
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 47A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 50mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 151A | |
Moc rozpraszana | 223W | |
Technologia | SiC | |
Rodzaj kanału | wzbogacany | |
Napięcie bramka-źródło | -4...18V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Właściwości elementów półprzewodnikowych
- integrated anti-parallel diode
- wyprowadzenie Kelvina
Masa brutto1 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły tranzystorowe BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M030120NIlość sztuk (Wielokrotność: 150)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 150 szt - 10.90 USDCena brutto dla ilości od 150 szt - 13.40 USD