NOWOŚĆ
B3D20120H
Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 259W
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Oznaczenie producenta:
B3D20120H
Symbol TME:
B3D20120H
Specyfikacja
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ diody | prostownicza Schottky | ||
Technologia | SiC | ||
Montaż | THT | ||
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | ||
Prąd przewodzenia | 20A | ||
Struktura półprzewodnika | pojedyncza dioda | ||
Obudowa | TO247-2 | ||
Prąd w impulsie maks. | 160A | ||
Moc rozpraszana | 259W | ||
Rodzaj opakowania | tuba |
Masa brutto1 g
Certyfikaty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. jest importerem produktów tej marki
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Diody Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3D20120HIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 1.95 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 2.40 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 1.77 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 2.17 USD
Cena netto dla ilości od 30 szt - 1.56 USDCena brutto dla ilości od 30 szt - 1.91 USD
Cena netto dla ilości od 120 szt - 1.40 USDCena brutto dla ilości od 120 szt - 1.73 USD
Cena netto dla ilości od 300 szt - 1.31 USDCena brutto dla ilości od 300 szt - 1.60 USD