+1 500 000 produktów w ofercie

7000 paczek dziennie

+300 000 klientów ze 150 krajów

Zadzwoń +48 42 645 55 55

Zarejestruj się

Quick Buy Ulubione

Zmiany w systemie e-Faktur (KSeF) - Ważne informacje dla klientów biznesowych.

Tutaj dowiesz się więcej

Trwa przetwarzanie danych

Twój limit kredytowy został przekroczony. Zamówienie zostanie przyjęte, ale nie będzie zrealizowane. Nieustalony zostanie również harmonogram dostaw dla zamówionych artykułów. Skontaktuj się z pracownikiem TME.

Operacja została pomyślnie wykonana.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ modułu półprzewodnikowego	IGBT
Struktura półprzewodnika	tranzystor/tranzystor
Topologia	półmostek IGBT
Napięcie wsteczne maks.	650V
Prąd kolektora	300A
Obudowa	C8 48mm
Montaż elektryczny	konektory FASTON, przykręcany
Napięcie bramka - emiter	±20V
Prąd kolektora w impulsie	600A
Technologia	Trench FS IGBT
Montaż mechaniczny	przykręcany

GD300HFX65C8SN

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V

Specyfikacja