GD50HFX65C1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD50HFX65C1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD50HFX65C1S
Availability: OutOfStock

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Oznaczenie producenta:

GD50HFX65C1S

Symbol TME:

GD50HFX65C1S

Cena netto dla ilości od 1 szt - 44.84 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 55.15 USD

Cena netto dla ilości od 3 szt - 39.71 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 48.85 USD

Cena netto dla ilości od 12 szt - 35.64 USDCena brutto dla ilości od 12 szt - 43.83 USD

Cena netto dla ilości od 24 szt - 33.19 USDCena brutto dla ilości od 24 szt - 40.83 USD

Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)

Minimalna ilość możliwa do zamówienia: 1.
Wielokrotność: 1.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ modułu półprzewodnikowego	IGBT
Struktura półprzewodnika	tranzystor/tranzystor
Topologia	półmostek IGBT
Napięcie wsteczne maks.	650V
Prąd kolektora	50A
Obudowa	C1 34mm
Montaż elektryczny	konektory FASTON, przykręcany
Napięcie bramka - emiter	±20V
Prąd kolektora w impulsie	100A
Technologia	Trench FS IGBT
Montaż mechaniczny	przykręcany