IXBN42N170A
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXBN42N170A
Symbol TME:
IXBN42N170A
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 21A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 265A | |
Moc rozpraszana | 313W | |
Technologia | BiMOSFET™ | |
Właściwości elementów półprzewodnikowych | wysokonapięciowa | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto36.86 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXBN42N170AIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
4 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 32.25 GBPCena brutto dla ilości od 1 szt - 39.67 GBP
Cena netto dla ilości od 3 szt - 28.99 GBPCena brutto dla ilości od 3 szt - 35.66 GBP
Cena netto dla ilości od 10 szt - 27.01 GBPCena brutto dla ilości od 10 szt - 33.23 GBP
Sposób pakowania przez producentaTuba = 10 szt