IXGN100N170
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXGN100N170
Symbol TME:
IXGN100N170
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 95A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 600A | |
Moc rozpraszana | 735W | |
Technologia | NPT | |
Właściwości elementów półprzewodnikowych | wysokonapięciowa | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto37.13 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXGN100N170
0 w magazynie TME
Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
Cena netto dla ilości od 1 szt - 66.15 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 81.37 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 61.00 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 75.02 USD
Cena netto dla ilości od 20 szt - 56.62 USDCena brutto dla ilości od 20 szt - 69.65 USD
Cena netto dla ilości od 30 szt - 52.70 USDCena brutto dla ilości od 30 szt - 64.82 USD
Cena netto dla ilości od 40 szt - 51.91 USDCena brutto dla ilości od 40 szt - 63.85 USD
Sposób pakowania przez producenta:Tuba = 10 szt