IXGN120N60A3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 120A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXGN120N60A3
Symbol TME:
IXGN120N60A3
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 0,6kV | |
Prąd kolektora | 120A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 800A | |
Moc rozpraszana | 595W | |
Technologia | GenX3™ | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS
* IXGN120N60A3Skorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Produkt wycofany z oferty