IXGN320N60A3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXGN320N60A3
Symbol TME:
IXGN320N60A3
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 0,6kV | |
Prąd kolektora | 170A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 1,2kA | |
Moc rozpraszana | 735W | |
Technologia | GenX3™, PT | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto37.12 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXGN320N60A3Ilość sztuk (Wielokrotność: 300)
0 w magazynie TME
Produkt na specjalne zamówienie
Sposób pakowania przez producentaTuba = 10 szt