IXGN72N60C3H1
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXGN72N60C3H1
Symbol TME:
IXGN72N60C3H1
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 0,6kV | |
Prąd kolektora | 52A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 360A | |
Moc rozpraszana | 360W | |
Technologia | GenX3™, PT | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXGN72N60C3H1Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 24.86 GBPCena brutto dla ilości od 1 szt - 30.58 GBP
Cena netto dla ilości od 3 szt - 21.60 GBPCena brutto dla ilości od 3 szt - 26.57 GBP
Cena netto dla ilości od 10 szt - 20.28 GBPCena brutto dla ilości od 10 szt - 24.95 GBP