IXYN30N170CV1
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 30A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXYN30N170CV1
Symbol TME:
IXYN30N170CV1
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 30A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 275A | |
Moc rozpraszana | 680W | |
Technologia | XPT™ | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXYN30N170CV1Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 52.58 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 64.67 USD
Cena netto dla ilości od 5 szt - 46.38 USDCena brutto dla ilości od 5 szt - 57.05 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 43.54 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 53.56 USD