IXYN75N65C3D1
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
IXYN75N65C3D1
Symbol TME:
IXYN75N65C3D1
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 650V | |
Prąd kolektora | 75A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 360A | |
Moc rozpraszana | 600W | |
Technologia | GenX3™, XPT™ | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto30 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* IXYN75N65C3D1Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 36.05 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 44.35 USD
Cena netto dla ilości od 3 szt - 32.44 USDCena brutto dla ilości od 3 szt - 39.90 USD
Cena netto dla ilości od 10 szt - 28.71 USDCena brutto dla ilości od 10 szt - 35.31 USD