MID75-12A3
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
MID75-12A3
Symbol TME:
MID75-12A3
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | dioda/tranzystor | |
Topologia | boost chopper | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 60A | |
Obudowa | Y4-M5 | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 400A | |
Moc rozpraszana | 370W | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto111.5 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS
* MID75-12A3Skorzystaj z tabeli specyfikacji produktu, by odnaleźć produkty do niego podobne.
Produkt wycofany z oferty