MII200-12A4
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV
Producent: IXYS
Oznaczenie producenta:
MII200-12A4
Symbol TME:
MII200-12A4
Specyfikacja
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | tranzystor/tranzystor | |
Topologia | półmostek IGBT | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 180A | |
Obudowa | Y3-DCB | |
Zastosowanie | silniki | |
Montaż elektryczny | konektory FASTON, przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 360A | |
Moc rozpraszana | 1,13kW | |
Technologia | NPT | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Masa brutto10 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły IGBT IXYS,
* MII200-12A4Ilość sztuk (Wielokrotność: 1)
0 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 212.00 EURCena brutto dla ilości od 1 szt - 260.76 EUR
Cena netto dla ilości od 4 szt - 190.00 EURCena brutto dla ilości od 4 szt - 233.70 EUR
Cena netto dla ilości od 6 szt - 171.00 EURCena brutto dla ilości od 6 szt - 210.34 EUR