GeneSiC SEMICONDUCTOR

Firma GeneSiC Semiconductor założona została w roku 2002 w USA i od początku skupiona była na rozwoju, testowaniu i produkcji innowacyjnych komponentów w nowej technologii węglika krzemu (SiC, od silicon carbide). Owocem tych działań są przede wszystkim diody i tranzystory SiC cechujące się małymi stratami, dużą wydajnością oraz odpornością na wysokie temperatury pracy. Rozwiązania te znajdują zastosowanie wszędzie tam, gdzie warunki lub wymagania przerastają możliwości klasycznej technologii krzemowej – szczególnie w przetwornikach energii odnawialnej, w sterownikach dużej mocy stosowanych na polu automatyki przemysłowej i energetyki, jak również aplikacjach z zakresu militariów i wielu innych dziedzin.

W katalogu TME znaleźć można szereg komponentów półprzewodnikowych GenaSiC, w których zastosowano węglik krzemu. Są to m.in. diody Schottky (zarówno THT, jak i SMD) o wytrzymałości prądowej do 50A (400A w impulsie), jak również moduły diodowe (przykręcane) o maksymalnym natężeniu przewodzenia do 420A (800A w impulsie). Z portfolio dostawcy oferujemy także tranzystory unipolarne, moduły MOSFET i pokrewne komponenty.