APT50GF120JRD
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B; NPT
Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denumire producător:
APT50GF120JRD
Simbol TME:
APT50GF120JRD
Specificații
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tip modul semiconductor | IGBT | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune inversă max. | 1,2kV | ||
Curent de colector | 64A | ||
Carcasă | SOT227B | ||
Montare electrică | înşurubare | ||
Tensiunea poartă - emitor | ±30V | ||
Curent de colector pulsat | 225A | ||
Tehnologie | NPT | ||
Subtip ambalaj | tub | ||
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDUtilizaţi tabelul de specificaţii de mai jos pentru a găsi produse similare
Produs retras din ofertă
Ofertă disponibilă pentru clienții conectați