APT75GT120JRDQ3
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B; tub
Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denumire producător:
APT75GT120JRDQ3
Simbol TME:
APT75GT120JRDQ3
Specificații
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tip modul semiconductor | IGBT | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune inversă max. | 1,2kV | ||
Curent de colector | 57A | ||
Carcasă | SOT227B | ||
Montare electrică | înşurubare | ||
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | ||
Curent de colector pulsat | 300A | ||
Tehnologie | NPT, POWER MOS 7® | ||
Subtip ambalaj | tub | ||
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 67.39 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 81.55 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 60.67 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 73.40 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 53.61 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 64.86 USD
Ofertă disponibilă pentru clienții conectați