+1 500 000 produse în ofertă
6000 colete expediate zilnic
+300 000 clienţi din 150 de ţări
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | diodă SiC/tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1kV | |
Curent drenă | 110A | |
Carcasă | SP6 | |
Topologie | tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel | |
Montare electrică | înşurubare | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 78mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 580A | |
Putere disipată | 3,25kW | |
Tehnologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |