APTM10DAM02G
Modul; diodă/tranzistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1,25kW
Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denumire producător:
APTM10DAM02G
Simbol TME:
APTM10DAM02G
Specificații
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | ||
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | ||
Tensiune drenă-sursă | 100V | ||
Curent drenă | 370A | ||
Carcasă | SP6C | ||
Topologie | boost chopper | ||
Montare electrică | FASTON terminali, înşurubare | ||
Rezistenţă în timpul funcţionării | 2,5mΩ | ||
Curent de drenă în impuls | 1900A | ||
Putere disipată | 1,25kW | ||
Tehnologie | POWER MOS 5® | ||
Tensiune poartă-sursă | ±30V | ||
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută300 g
Certificate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DAM02GNumăr de bucăți (Multiplu: 5)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 835.56 RONPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 1 011.02 RON
Ofertă disponibilă pentru clienții conectați