G3R20MT12N
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; înşurubare; Idm: 240A
Producator: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denumire producător:
G3R20MT12N
Simbol TME:
G3R20MT12N
Specificații
Producător | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | ||
Curent drenă | 74A | ||
Carcasă | SOT227B | ||
Montare electrică | înşurubare | ||
Polarizare | unipolar | ||
Rezistenţă în timpul funcţionării | 20mΩ | ||
Curent de drenă în impuls | 240A | ||
Putere disipată | 365W | ||
Tehnologie | G3R™, SiC | ||
Subtip canal | îmbogăţit | ||
Tensiune poartă-sursă | -5...15V | ||
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută35.39 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
105 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 54.58 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 66.04 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 52.44 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 63.45 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 51.45 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 62.25 USD
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc