G3R20MT12N
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; înşurubare; Idm: 240A
Producator: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denumire producător:
G3R20MT12N
Simbol TME:
G3R20MT12N
Specificații
Producător | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | |
Curent drenă | 74A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 20mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 240A | |
Putere disipată | 365W | |
Tehnologie | G3R™, SiC | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Tensiune poartă-sursă | -5...15V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută35.39 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
105 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 47.67 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 57.68 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 45.80 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 55.42 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 44.94 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 54.37 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc