+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Inregistrare

Procesare date în curs Procesare date în curs

Limita dvs. de creditare a fost depăşită. Comanda va fi preluată, dar nu va fi realizată. De asemenea, nu va fi stabilit planul detaliat de livrări pentru articolele comandate. Contactaţi operatorul TME.

Operaţia a fost executată cu succes.

A apărut o eroare neaşteptată. Încercaţi din nou.

Producător	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor	cu tranzistor MOSFET
Structura semiconductorului	mono-tranzistor
Tensiune drenă-sursă	1,7kV
Curent drenă	70A
Carcasă	SOT227B
Montare electrică	înşurubare
Polarizare	unipolar
Rezistenţă în timpul funcţionării	20mΩ
Curent de drenă în impuls	300A
Putere disipată	523W
Tehnologie	G3R™, SiC
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune poartă-sursă	-5...15V
Montare mecanică	înşurubare

G3R20MT17N

Modul; mono-tranzistor; 1,7kV; 70A; SOT227B; înşurubare; Idm: 300A

Specificații