+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD100HFU120C8S

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; semipunte IGBT; Urmax: 1200V

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD100HFU120C8S
Simbol TME:
GD100HFU120C8S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Topologie
semipunte IGBT
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
100A
Carcasă
C8 48mm
Montare electrică
FASTON terminali, înşurubare
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
200A
Tehnologie
NPT Ultra Fast IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută200 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100HFU120C8S
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 16)
Produs livrat la comandă specială