+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD10PJX65F1S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Familia de produse

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD10PJX65F1S
Simbol TME:
GD10PJX65F1S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
650V
Curent de colector
10A
Carcasă
F1.1
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
20A
Tehnologie
Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută24.99 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJX65F1S
19 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 25.93 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 31.38 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 22.94 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 27.76 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 20.63 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 24.96 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 25 buc - 19.26 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 25 buc - 23.30 GBP
Număr de bucăți (Multiplu: 1)