+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD10PJY120F1S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A

Familia de produse

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD10PJY120F1S
Simbol TME:
GD10PJY120F1S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
10A
Carcasă
F1.1
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
20A
Tehnologie
Advanced Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută26 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJY120F1S
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 26.09 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 31.57 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 23.02 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 27.86 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 20.72 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 25.07 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 25 buc - 19.36 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 25 buc - 23.42 GBP
Număr de bucăți (Multiplu: 1)
Cantitatea minimă care poate fi comandată: 1.
Multiplu: 1.