+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD1200SGX170C3SN

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; IGBT x2; Urmax: 1700V

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD1200SGX170C3SN
Simbol TME:
GD1200SGX170C3SN

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Topologie
IGBT x2
Tensiune inversă max.
1,7kV
Curent de colector
1,2kA
Carcasă
C3 130mm
Montare electrică
înşurubare
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
2,4kA
Tehnologie
Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută1.5 kg
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD1200SGX170C3SN
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 8)
Produs livrat la comandă specială