+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD150HHU120C6S

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; punte H; Urmax: 1200V; Ic: 150A

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD150HHU120C6S
Simbol TME:
GD150HHU120C6S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Topologie
punte H
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
150A
Carcasă
C6 62mm
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
300A
Tehnologie
NPT Ultra Fast IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută300 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD150HHU120C6S
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 10)
Produs livrat la comandă specială