GD20PJX65F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD20PJX65F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD20PJX65F1S
Availability: OutOfStock

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:

GD20PJX65F1S

Simbol TME:

GD20PJX65F1S

Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 35.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 42.35 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 31.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 37.51 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 27.81 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 33.64 EUR

Prețul net pentru cantitățile de la 25 buc - 26.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 25 buc - 31.47 EUR

Număr de bucăți (Multiplu: 1)

Producător	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor	IGBT
Structura semiconductorului	diodă/tranzistor
Topologie	boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.	650V
Curent de colector	20A
Carcasă	F1.1
Montare electrică	Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor	±20V
Curent de colector pulsat	40A
Tehnologie	Trench FS IGBT
Montare mecanică	înşurubare