+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD20PJX65L2S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD20PJX65L2S
Simbol TME:
GD20PJX65L2S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
650V
Curent de colector
20A
Carcasă
L2.2
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
40A
Tehnologie
Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută24 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD20PJX65L2S
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 29.67 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 35.90 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 26.15 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 31.64 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 12 buc - 23.48 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 12 buc - 28.41 GBP
Prețul net pentru cantitățile de la 24 buc - 21.93 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 24 buc - 26.54 GBP
Număr de bucăți (Multiplu: 1)