Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD25PJY120F2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD25PJY120F2S
Price: 208.077 RON
Availability: OutOfStock

+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Sunați la +40 356467401

Inregistrare

Quick Buy Favorite

Procesare date în curs

Limita dvs. de creditare a fost depăşită. Comanda va fi preluată, dar nu va fi realizată. De asemenea, nu va fi stabilit planul detaliat de livrări pentru articolele comandate. Contactaţi operatorul TME.

Operaţia a fost executată cu succes.

A apărut o eroare neaşteptată. Încercaţi din nou.

Producător	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor	IGBT
Structura semiconductorului	diodă/tranzistor
Topologie	boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.	1,2kV
Curent de colector	25A
Carcasă	F2.0
Montare electrică	Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor	±20V
Curent de colector pulsat	50A
Tehnologie	Advanced Trench FS IGBT
Montare mecanică	înşurubare

GD25PJY120F2S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 25A

Specificații