+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD30PJX65L2S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

Familia de produse

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD30PJX65L2S
Simbol TME:
GD30PJX65L2S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
650V
Curent de colector
30A
Carcasă
L2.2
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
60A
Tehnologie
Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută24 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD30PJX65L2S
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 32.51 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 39.33 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 28.71 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 34.73 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 12 buc - 25.81 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 12 buc - 31.22 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 24 buc - 24.10 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 24 buc - 29.17 EUR
Număr de bucăți (Multiplu: 1)