GD30PJX65L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD30PJX65L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD30PJX65L2S
Availability: OutOfStock

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:

GD30PJX65L2S

Simbol TME:

GD30PJX65L2S

Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 27.83 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 33.68 GBP

Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 24.58 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 29.74 GBP

Prețul net pentru cantitățile de la 12 buc - 22.09 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 12 buc - 26.74 GBP

Prețul net pentru cantitățile de la 24 buc - 20.64 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 24 buc - 24.97 GBP

Număr de bucăți (Multiplu: 1)

Producător	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor	IGBT
Structura semiconductorului	diodă/tranzistor
Topologie	boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.	650V
Curent de colector	30A
Carcasă	L2.2
Montare electrică	Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor	±20V
Curent de colector pulsat	60A
Tehnologie	Trench FS IGBT
Montare mecanică	înşurubare