+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD35PJY120F2S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD35PJY120F2S
Simbol TME:
GD35PJY120F2S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
35A
Carcasă
F2.0
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
70A
Tehnologie
Advanced Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută42 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD35PJY120F2S
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 25 buc - 37.91 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 25 buc - 45.86 EUR
Număr de bucăți (Multiplu: 25)