+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD35PJY120L3S

Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A

Familia de produse

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD35PJY120L3S
Simbol TME:
GD35PJY120L3S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Topologie
boost chopper, Punte de diodă trifazată, punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
35A
Carcasă
L3.0
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
70A
Tehnologie
Advanced Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută43.57 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD35PJY120L3S
10 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 58.58 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 70.88 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 4 buc - 51.71 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 4 buc - 62.57 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 16 buc - 46.47 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 16 buc - 56.22 USD
Număr de bucăți (Multiplu: 1)
Cantitatea minimă care poate fi comandată: 1.
Multiplu: 1.
Metoda de ambalare de către producătorTăviţă = 16 buc