+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD50FSY120L3S

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD50FSY120L3S
Simbol TME:
GD50FSY120L3S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Topologie
punte trifazată IGBT ieşire OE, Termistor NTC
Tensiune inversă max.
1,2kV
Curent de colector
50A
Carcasă
L3.2
Montare electrică
Press-in PCB
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
100A
Tehnologie
Advanced Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută39 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD50FSY120L3S
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 16)
Produs livrat la comandă specială