+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

GD650HFX170P1S

Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; semipunte IGBT; Urmax: 1700V

Producator: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denumire producător:
GD650HFX170P1S
Simbol TME:
GD650HFX170P1S

Specificații

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul semiconductor
IGBT
Structura semiconductorului
tranzistor/tranzistor
Topologie
semipunte IGBT
Tensiune inversă max.
1,7kV
Curent de colector
650A
Carcasă
P1.0
Montare electrică
înşurubare
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector pulsat
1,3kA
Tehnologie
Trench FS IGBT
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută825 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD650HFX170P1S
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 9)
Produs livrat la comandă specială