IXBN75N170
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B; 625W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXBN75N170
Simbol TME:
IXBN75N170
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,7kV | |
Curent de colector | 75A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 680A | |
Putere disipată | 625W | |
Tehnologie | BiMOSFET™ | |
Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.09 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXBN75N170
1 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 1)
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 526.38 RONPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 636.92 RON
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 472.94 RONPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 572.25 RON
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 441.41 RONPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 534.10 RON
Metoda de ambalare de către producător:Tub = 10 buc