IXDN55N120D1
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B; 450W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXDN55N120D1
Simbol TME:
IXDN55N120D1
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 62A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 124A | |
Putere disipată | 450W | |
Tehnologie | NPT | |
Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS
* IXDN55N120D1Utilizaţi tabelul de specificaţii de mai jos pentru a găsi produse similare
Produs retras din ofertă
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc