IXDN75N120
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B; 660W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXDN75N120
Simbol TME:
IXDN75N120
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 150A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 190A | |
Putere disipată | 660W | |
Tehnologie | NPT | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută34.72 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXDN75N120Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 34.22 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 41.41 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc