+1 500 000 produse în ofertă
6000 colete expediate zilnic
+300 000 clienţi din 150 de ţări
Producător | IXYS | ||
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune drenă-sursă | 850V | ||
Curent drenă | 110A | ||
Carcasă | SOT227B | ||
Montare electrică | înşurubare | ||
Polarizare | unipolar | ||
Rezistenţă în timpul funcţionării | 33mΩ | ||
Curent de drenă în impuls | 220A | ||
Putere disipată | 1,17kW | ||
Tehnologie | HiPerFET™, X-Class | ||
Subtip canal | îmbogăţit | ||
Încărcătură poartă | 425nC | ||
Timp de restabilire | 205ns | ||
Tensiune poartă-sursă | ±40V | ||
Montare mecanică | înşurubare |