IXFN170N30P
Modul; mono-tranzistor; 300V; 138A; SOT227B; înşurubare; Idm: 500A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN170N30P
Simbol TME:
IXFN170N30P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 300V | |
Curent drenă | 138A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 18mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 500A | |
Putere disipată | 890W | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 258nC | |
Timp de restabilire | 200ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută29.8 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 38.87 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 47.02 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 37.66 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 45.57 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 35.16 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 42.54 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc