IXFN200N10P
Modul; mono-tranzistor; 100V; 200A; SOT227B; înşurubare; Idm: 400A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN200N10P
Simbol TME:
IXFN200N10P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 100V | |
Curent drenă | 200A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 7,5mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 400A | |
Putere disipată | 680W | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 235nC | |
Timp de restabilire | 150ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.04 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 27.03 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 32.71 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 24.01 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 29.05 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 23.17 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 28.04 USD
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc