IXFN26N100P
Modul; mono-tranzistor; 1kV; 23A; SOT227B; înşurubare; Idm: 65A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN26N100P
Simbol TME:
IXFN26N100P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1kV | |
Curent drenă | 23A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 390mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 65A | |
Putere disipată | 595W | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 197nC | |
Timp de restabilire | 300ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.04 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
6 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 41.27 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 49.93 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 36.42 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 44.07 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 32.74 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 39.62 USD
Produs disponibil doar până la epuizarea stocurilor din depozit
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc