IXFN26N120P
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; înşurubare; Idm: 60A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN26N120P
Simbol TME:
IXFN26N120P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | |
Curent drenă | 23A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,5Ω | |
Curent de drenă în impuls | 60A | |
Putere disipată | 695W | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 255nC | |
Timp de restabilire | 300ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.12 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N120PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
7 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 37.44 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 45.31 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 33.06 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 40.00 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 29.71 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 35.94 EUR
Produs disponibil doar până la epuizarea stocurilor din depozit
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc