IXFN32N120P
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; înşurubare; Idm: 100A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN32N120P
Simbol TME:
IXFN32N120P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | |
Curent drenă | 32A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,31Ω | |
Curent de drenă în impuls | 100A | |
Putere disipată | 1kW | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 360nC | |
Timp de restabilire | 300ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.27 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 81.40 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 98.50 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 71.91 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 87.00 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 64.61 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 78.17 EUR
Produs greu disponibil
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc