IXFN32N80P
Modul; mono-tranzistor; 800V; 29A; SOT227B; înşurubare; Idm: 250A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN32N80P
Simbol TME:
IXFN32N80P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 800V | |
Curent drenă | 29A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,27Ω | |
Curent de drenă în impuls | 250A | |
Putere disipată | 625W | |
Tehnologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 150nC | |
Timp de restabilire | 250ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută36.98 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80P
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 1)
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 33.04 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 39.98 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 29.79 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 36.04 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 26.21 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 31.71 USD
Metoda de ambalare de către producător:Tub = 10 buc