IXFN360N10T
Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN360N10T
Simbol TME:
IXFN360N10T
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 100V | |
Curent drenă | 360A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 2,6mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 900A | |
Putere disipată | 830W | |
Tehnologie | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 525nC | |
Timp de restabilire | 130ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută36.9 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N10TNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
244 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 25.57 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 30.94 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 24.65 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 29.82 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 23.61 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 28.57 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 20 buc - 23.09 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 20 buc - 27.94 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 50 buc - 22.13 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 50 buc - 26.77 USD
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 bucCutie de carton = 60 buc