+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Inregistrare

Vă informăm că în data de 16.09.2026. între orele 22.00 - 24.00 (CEST) pot apărea probleme legate de accesul la site şi la comenzile on-line. Ne cerem scuze pentru neplăcerile create.

Procesare date în curs

Limita dvs. de creditare a fost depăşită. Comanda va fi preluată, dar nu va fi realizată. De asemenea, nu va fi stabilit planul detaliat de livrări pentru articolele comandate. Contactaţi operatorul TME.

Operaţia a fost executată cu succes.

A apărut o eroare neaşteptată. Încercaţi din nou.

Producător	IXYS
Tip modul semiconductor	cu tranzistor MOSFET
Structura semiconductorului	mono-tranzistor
Tensiune drenă-sursă	500V
Curent drenă	66A
Carcasă	SOT227B
Montare electrică	înşurubare
Polarizare	unipolar
Rezistenţă în timpul funcţionării	65mΩ
Curent de drenă în impuls	200A
Putere disipată	700W
Tehnologie	HiPerFET™, PolarHV™
Subtip canal	îmbogăţit
Încărcătură poartă	195nC
Timp de restabilire	200ns
Tensiune poartă-sursă	±30V
Montare mecanică	înşurubare

IXFN80N50P

Modul; mono-tranzistor; 500V; 66A; SOT227B; înşurubare; Idm: 200A

Specificații