IXFN80N50P
Modul; mono-tranzistor; 500V; 66A; SOT227B; înşurubare; Idm: 200A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN80N50P
Simbol TME:
IXFN80N50P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 500V | |
Curent drenă | 66A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 65mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 200A | |
Putere disipată | 700W | |
Tehnologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 195nC | |
Timp de restabilire | 200ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PNumăr de bucăți (Multiplu: 300)
0 în stoc la TME
Produs livrat la comandă specială
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc