IXFN80N60P3
Modul; mono-tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; înşurubare; Idm: 200A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN80N60P3
Simbol TME:
IXFN80N60P3
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 600V | |
Curent drenă | 66A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 77mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 200A | |
Putere disipată | 960W | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 0,19µC | |
Timp de restabilire | 250ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.1 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 33.19 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 40.16 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 26.98 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 32.65 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 20 buc - 24.83 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 20 buc - 30.04 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 50 buc - 23.00 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 50 buc - 27.84 USD
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc