IXFN82N60P
Modul; mono-tranzistor; 600V; 72A; SOT227B; înşurubare; Idm: 200A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN82N60P
Simbol TME:
IXFN82N60P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 600V | |
Curent drenă | 72A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 75mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 200A | |
Putere disipată | 1,04kW | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 240nC | |
Timp de restabilire | 200ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±40V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută29.69 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 43.37 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 52.48 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 35.54 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 43.00 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 100 buc - 33.31 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 100 buc - 40.30 USD
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc