IXGN200N60B3
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B; 830W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXGN200N60B3
Simbol TME:
IXGN200N60B3
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 0,6kV | |
Curent de colector | 200A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 1,2kA | |
Putere disipată | 830W | |
Tehnologie | GenX3™, PT | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.1 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXGN200N60B3Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 46.00 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 55.67 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc