IXYN85N120C4H1
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B; 600W
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXYN85N120C4H1
Simbol TME:
IXYN85N120C4H1
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,2kV | |
Curent de colector | 85A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 420A | |
Putere disipată | 600W | |
Tehnologie | GenX4™, XPT™ | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXYN85N120C4H1Număr de bucăți (Multiplu: 300)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 300 buc - 23.23 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 300 buc - 28.11 EUR