MDNA210UB2200PTED
Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Producator: IXYS
Denumire producător:
MDNA210UB2200PTED
Simbol TME:
MDNA210UB2200PTED
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | |
Topologie | boost chopper, Punte de diodă trifazată, Termistor NTC | |
Tensiune inversă max. | 1,7kV | |
Curent de colector | 100A | |
Carcasă | E2-Pack | |
Montare electrică | Press-in PCB | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 200A | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută100 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* MDNA210UB2200PTEDNumăr de bucăți (Multiplu: 28)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 28 buc - 129.42 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 28 buc - 156.60 USD